بدأت سامسونج الإنتاج التجريبي لذاكرة HBM4 الجديدة، بهدف بدء الإنتاج الضخم بحلول نهاية عام 2025. وهذا قبل ستة أشهر من الموعد المخطط له في الأصل. ومن المتوقع أن يوفر جيل الذاكرة الجديد زيادة بنسبة 66% في سرعات نقل البيانات مقارنة بإصدار HBM3E السابق وزيادة سعة التخزين.
أكملت الشركة تصميم الشريحة المنطقية لـ HBM4 وبدأت الإنتاج التجريبي لتقنية المعالجة 4 نانومتر. يتم تنفيذ هذا العمل في المنشأة المتخصصة D1c. ومن المتوقع أن توفر الذاكرة الجديدة سرعات نقل بيانات تصل إلى 2 تيرابايت/ثانية وتدعم واجهة 2048 بت مع عرض نطاق ترددي يبلغ 6.4 جيجا بايت/ثانية. بالإضافة إلى ذلك، ستتمتع سعة HBM4 بسعة تصل إلى 48 جيجابايت، أي أكثر بنسبة 33% من الحل الحالي.
سيتم استخدام الجيل الجديد من الذاكرة في منصة Rubin GPU القادمة من Nvidia، والمقرر إطلاقها في عام 2026.